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美光消費性記憶體品牌 Crucial 歡度 21 歲，以垂直整合提供給消費者最可靠、高相容的產品
創立於 1996 年、隸屬美光旗下的消費性記憶體品牌 Crucial 轉眼間已經 21 歲，雖在品牌形象方面不是屬於鋒芒畢露，卻也因為產品穩定、可靠廣受玩家的喜愛；在稍早美光也邀請來自美國的 DRAM 市場行銷部總監 Jim Jardine 以及亞洲行銷總監曾偉樑與台灣媒體分享 Crucial 這 21 年來的歷程與 Crucial 的品牌價值。 不同於其它 DRAM 品牌，直接隸屬於美光的 Crucial 是從直接由技術上游所成立的消費品牌，具有高度垂直整合的品牌，這也意味著 Crucial 有著豐厚的技術資源，雖然背後是引領技術先驅的美光，但 Crucial 卻不是為了搶快而貿然推出產品的
Chevelle.fu
7 年前
是鎖定不同層級電競玩家市場，美光推出支援 XMP 2.0 與標榜為 Intel 平台最佳化的 Ballistix 遊戲記憶體這篇文章的首圖
鎖定不同層級電競玩家市場，美光推出支援 XMP 2.0 與標榜為 Intel 平台最佳化的 Ballistix 遊戲記憶體
針對三種不同層級的電競玩家市場，美光以不同層級的 Ballistix 遊戲記憶體滿足其需求，分別是標榜休閒與遊戲玩家的 Sport ，重度玩家的 Tactical ，以及超頻玩家的 Elite 三個產品線，挾美光為主要記憶體顆粒製造商的後盾，最大的特色是標榜支援 XMP2.0 ，同時為 Intel 平台提供最佳化，並提供終身有限保固。 Sport 提供 2666MTs 速度，並可在四通道提供高校傳輸速率，記憶體散熱片具備迷彩點綴 ，並標榜為 X99 平台提供最佳化； Tactical 則達 3000MTs 速度，同時可為雙通道與四通道提供最佳化，整體採用黑色 PCB 搭配鐵灰色散熱片；至於最頂
Chevelle.fu
7 年前
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電競贏家首選，你不可不知的 Ballistix
十幾年來，Ballistix 早在矽材料、晶圓和晶粒成為遊戲元件之前，就已在 Micron 晶圓廠中進行過篩選及測試，以無人能仿效的方式將速度與時尚注入 PC 遊戲中。Ballistix 是唯一對產品從頭到尾進行建構和測試的主要遊戲記憶體品牌，特別針對重度效能需求、頂級遊戲主機板和自訂組裝，持續提供更快速度、更低延遲性以及自訂散熱器功能，長期帶給遊戲玩家所仰賴且經過驗證的效能及可靠度。Ballistix 遊戲記憶體的生產與測試，每一個細節都經過精心設計，因為重度遊戲與每個效能上的細微差別息息相關。也因如此 Ballistix 依照不同玩家需求，推出三個效能等級的產品線：Ballistix Sp
George Huang
8 年前
Lexar 記憶體技術與創新 20 週年慶
快閃記憶體品牌Lexar 即將歡慶 20 周年。初始創立於 1996 年，並在 2006 年由 Micron Technology, Inc. 所併購，Lexar 已建立起前瞻思維的影像與數位儲存裝置解決方案、打造與技術領導者的合作夥伴關係，並在全球發展專屬的忠實客戶群。近期於 Lexar 位於加州米爾皮塔斯的總部舉行儀式，慶祝 Lexar 成立 20 周年以及其 20 年來在記憶體領域的創新。「20 年來，我們不斷致力於傾聽客戶在儲存裝置及影像方面的需求，並打造他們所要求的解決方案。」Lexar 產品事業群副總裁暨總經理 Wes Brewer 說道。「我們會在未來 20 年持續朝這個方向邁進
George Huang
8 年前
是Intel 宣布與美光共推 3D Xpoint 技術，號稱打造出具既有 NAND 千倍速度、千倍耐用的非揮發性記憶體這篇文章的首圖
Intel 宣布與美光共推 3D Xpoint 技術，號稱打造出具既有 NAND 千倍速度、千倍耐用的非揮發性記憶體
Intel 宣布與美光 Micron 共同開發 3D Xpoint 技術，藉此而生產的非揮發性記憶體號稱是自 1989 年推出 NAND 記憶體以來全新的記憶體類別，並強調此非揮發性記憶體相較既有 NAND 記憶體擁有千倍的傳輸速度以及千倍的耐用性，密度也相較既有記憶體高出十倍。基於此技術的樣品預計在今年稍後開始送樣至特定客戶。此 3D Xpoint 是一種不含電晶體的交叉點結構，藉由垂直導體連接達 1,280 億個每密度一位元之高密度配置儲存單元，此技術也具備可堆疊特性，第一世代將堆疊兩層，每個晶粒將可達 128Gb 儲存容量；另外，藉由系統傳送到每個選擇器的電壓作為存取的方式，能夠減少對於
Chevelle.fu
9 年前
美光與英特爾率先推出25 nm 3-bit-per-cell NAND 快閃記憶體
業界容量最大、尺寸最小的 NAND 裝置 為眾多消費性儲存應用提供成本優勢 美光科技 (Micron Technology Inc.) 與英特爾 (Intel Corporation) 宣佈推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體，該 NAND 裝置擁有業界最大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，該產品預計在今年年底量產。 與 USB、SD (Secure Digital) 快閃記憶體卡和消費性電子產品相比，新推出的 25 nm 64Gb 3bpc 記憶裝置的成本更低且容量更大。快閃記憶體主要用於儲存資料、照片或其它多媒體，以供電
news.tw
14 年前
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