產業消息 qualcomm Snapdragon 高通 5G lpddr4 Snapdragon 765G LPDDR5 6nm Snapdragon Sound Snapdragon 780G Snapdragon 778G 高通宣布 Snapdragon 778G 5G 平台，採 6nm 、技術規格近似 Snapdragon 780G 5G 弱化版 高通在即將正式舉辦 5G 峰會前公布全新 700 系列成員 Snapdragon 778G 5G 平台 ， Snapdragon 778G 5G 規格相當接近 Snapdragon 780G 5G ，不過製程並非採用 Snapdragon 780G 5G 的 5nm ，而是本質為 7nm 強化版的 6nm 製程。 從產品定位， Snapdragon 778G 5G 應是用於取代當前 Snapdsragon 765G 5G 與 Snapdragon 768G 5G ，但從產品策略來看高通可能藉由晶圓廠負載率相對較低的 6nm 製程的產品，舒緩當前 Snapdsragon 780G 5G 由於三星 Chevelle.fu 3 年前
產業消息 dram 美光 DDR4 lpddr4 LPDDR5 1-Alpha 美光宣布 1α 製程 DRAM 技術正式量產，較 1z 製程提高 40% 容量、首批為 DDR4 記憶體產品 美光宣布全新的 DRAM 記憶體製程技術 1α / 1-Alpha 製程開始進入量產，相較前一代 1z 製程能提高 40% 記憶體容量，首批由美光在台灣晶圓廠生產的產品將為著重運算應用的 DDR4 記憶體以及適用於消費 PC 的 Crucial DRAM 產品，而採用 1-Alpha 的 LPDDR4 記憶體也開始向行動設備商送樣、 2021 年將持續推出採用 1-Alpha 製程技術的其他新產品，未來也將擴展到 LPDDR5 產品。 ▲美光 1Alpha 製程已經開始由位於台灣的晶圓廠開始生產 美光的 1-Alpha 可提供更節能且可靠的記憶體解決方案，尤以強調功耗的 LPDRA Chevelle.fu 4 年前
產業消息 Samsung 三星 ram 記憶體 DDR4 lpddr4 三星宣布 2016 年初將推出 12Gb 之 20nm 行動版 LPDDR4 ，並提供 3GB 與 6GB 兩種封裝 圖片來源： Samsung Tomorrow三星稍早在官方部落格宣布新一代行動版 LPDDR4 記憶體封裝將於 2016 年推出，這款 LPDDR4 採用 20nm 製程，容量達 12Gb ，相較現有的同樣採用 20nm 的 8Gb 封裝容量更大，傳輸速度達 4,266Mbps ，同時能耗降低 20% ，且生產效率比 8Gb 封裝高了 50% 。三星預計採用此技術可在同一封裝中容納 3GB 與 6GB 兩種容量(雙芯與四芯)，且強調既有的 6GB 封裝可輕易的相容到目前的 3GB LPDDR4 記憶體的空間。三星預計，行動版 LPDDR4 記憶體將於近幾年陸續用於超薄型電腦、數位家電、車載平台 Chevelle.fu 9 年前
新品資訊 Samsung Android Galaxy Galaxy S6 galaxy s6 edge exynos 7440 lpddr4 supaeamoled MWC 2015 ：追求玻璃與金屬混合的極薄工藝，三星發表 Galaxy S6 與雙曲面螢幕之 S6 Edge 三星一如當初傳聞的在 MWC 發表 Galaxy S6 以及 Galaxy S6 Edge 兩款孿生機種，三星此次以再造手機業界標竿作為此次兩款手機的目標，以 Beauty Outside 、 Power Inside 的內外皆美設計這兩款手機。Galaxy S6 與 S6 Edge 預計四月十日起陸續在全球上市，首波將於 20 國推出，台灣也是首波銷售名單， Edge 將會是主打機種，價格將於三月底推出。預計推出 32GB 、 64GB 與 128GB 三種容量， 128GB 將由銷售量後以引進熱銷色為主， 32GB 與 64GB 將提供全顏色；顏色方面，白、黑與金為共通顏色， S6 提供晶 Chevelle.fu 10 年前
