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美光發表 Micron 4600 PCIe Gen5 NVMe SSD 專為 OEM 需求設計
美光推出 Micron 4600 PCIe Gen5 NVMe SSD，專為 OEM 需求設計，提供卓越效能，適用於遊戲玩家和專業人士。 先前推出多款PCIe Gen 4的SSD產品後，美光今日 (2/20)宣布推出以PCIe Gen 5規格打造、針對OEM業者需求設計的Micron 4600 PCI Gen5 NVMe SSD，標榜對應接下來的AI PC市場使用趨勢，同時也符合更多遊戲筆電應用需求。 Micron 4600 PCI Gen5 NVMe SSD標榜對應PCIe Gen 5峰值傳輸性能，同時傳輸效率更達PCIe Gen 4規格的2倍左右，而整體電力損耗則與PCIe Gen 4規格
Mash Yang
2 個月前
美光公布針對OEM的Micron 4600 PCIe Gen5 SSD，與Gen 4 SSD相同能耗但效能翻倍增強遊戲、AI體驗
PCIe Gen 5技術推出至今已逐漸普及，許多PC設備也都開始支援PCIe Gen 5通道，市面上的高效能PCIe Gen 5 SSD亦邁入第二世代，不過對於如筆記型電腦等對能耗與散熱有較高要求的設備雖然萬事俱備但仍欠缺兼具成本效益與節能PCIe Gen 5 SSD；美光宣布推出針對OEM的Micron 4600 PCIe Gen5 NVMe SSD，強調具備趨近PCIe Gen 5峰值的兩倍PCIe Gen 4傳輸效能，然能耗與PCIe Gen 4相同，隨著2025年多款遊戲大作、裝置端AI對儲存傳輸性能要求遽增，Micron 4600 PCIe Gen5 NVMe SSD能為新一代產品提
Chevelle.fu
2 個月前
韓媒指稱三星Galaxy S25系列初期使用美光LPDDR5X節能型記憶體
根據韓國媒體報導，三星Galaxy S手機似乎內部韓國產業的資源比重正在逐步下降，包括應用處理器、主機板、鏡頭等陸續使用非韓國供應鏈的產品，現在傳出Galaxy S25初期的記憶體也將改採用美光的節能型LPDDR5X，因為三星同級產品初期遇到發熱問題，後續生產的批次才會逐步使用三星半導體的節能型LPDDR5X。 ▲據稱三星12nm製程的LPDDR5X初期遇到發熱問題導致趕不上首波Galaxy S25上市，故首批Galaxy S25將採用美光的同級LPDDR5X 韓國etnews指稱，雖然三星半導體的記憶體仍在全球相當強勢，不過由於三星想要進一步為Galaxy S25降低能耗，故決定採用製程改良
Chevelle.fu
3 個月前
NVIDIA GeForce RTX 50的GDDR7將由多家供應商提供，首批出貨為三星顆粒
NVIDIA在CES 2025公布的GeForce RTX 50系列顯示卡確定率先搭載GDDR7記憶體，雖然在台上提到美光的名字，然而NVIDIA在後續透露為了確保GDDR7的穩定供貨，NVIDIA將與多家記憶體夥伴合作，第一波出貨的GeForce RTX50顯示卡將會採用三星顆粒。 ▲據稱RTX 5080使用的記憶體速度高於其它三款，此外首批生產的RTX 50顯卡以三星顆粒為主 值得注意的是GeForce RTX 50系列僅有GeForce RTX 5080搭配30Gbps的GDDR7記憶體，其它三款產品則搭配28Gbps GDDR7；先前曾傳聞NVIDIA打算為GeForce RTX 50
Chevelle.fu
3 個月前
CES 2025：群聯公布6nm製程、存取達14.5GB/s的PS5028-E28高性能PCIe Gen 5 SSD主控
NAND控制大廠群聯PHISON於CES 2025公布全新高性能PCIe Gen 5主控晶片PS5028-E28，PS5028-E28採用台積電6nm製程，具備最高14.5GB/s的峰值循序讀寫性能，能進一步將PCIe Gen 5 SSD性能帶到更高的水準；此外於2024年中旬公布的DRAM-Less主流級PCIe Gen 5主控晶片PS5031-E31T亦與美光最新G9 NAND、KIOXIA BiCS8 NAND完成驗證並開始量產，可進一步為市場提供更平價的PCIe Gne 5 SSD產品。 ▲PS5028-E28採台積電6nm製程 PS5028-E28是群聯新一代高階PCIe Gen 5
Chevelle.fu
3 個月前
美光2026年量產的HBM4將提供NVIDIA Rubin R100等下一代AI加速器使用，並已投入HBM4E的開發
美光的HBM3E順利打入NVIDIA AI加速器的供應鏈，其中HBM3E成為NVIDIA H200搭配的記憶體；根據美光財報會議紀錄，美光將在2026年量產HBM4，作為屆時如NVIDIA的「Rubin」NVIDIA R100等先進加速器搭配，此外美光也投入HBM4E的開發，倘若時程能夠配合，應該會成為NVIDIA小改版世代的R200所搭配的記憶體。 ▲NVIDIA的Rubin R100加速器預期會採用美光HBM4記憶體 目前AI加速器的GPU由SK Hynix取領先，三星與美光仍設法從中突圍，其中美光鎖定高性能與客製化服務作為與其它競爭者的差異化；美光預期在2026年推出HBM4記憶體，將較
Chevelle.fu
4 個月前
亞洲最大Lan Party WirForce邁入十周年，回歸玩家自Lan Party延伸至ACG Party
亞洲最大規模的Lan Party連線派對WirForce於2024年邁入十周年，從百人規模至今年預計吸引實體與線上27萬人次共同參與，將自2024年11月14日起至17日於台北市花博爭豔館連續舉辦4天3夜，並吸引達30餘家國內外廠商共同參與；在邁向10周年繼擁抱AI的虛幻邊界議題後，WirForce首次結合AI技術打造AI虛擬夥伴Nyx，結合台灣在地技術與4Gamers累積的資料庫與2D VTuber，幫助玩家以親切的互動解決問題；同時4Gamers執行長黃智仁強調WirForce回歸十年前舉辦網路派對初心，回歸玩家需求，進一步自Lan Party昇華至ACG Party。 ▲今年WirFor
Chevelle.fu
5 個月前
美光推出高效率、節能的60TB 6550 ION資料中心SSD，首創E3.S封裝達60TB容量
美光宣布其6550 ION NVMe SSD通過客戶驗證，並為當前全球最高速率的60TB SSD，同時為業界第一款E3.S與PCIe Gen 5的60TB SSD；6550 ION SSD具備同級最高運算、節能、耐久、安全與機櫃容量表現，鎖定超大規模資料中心應用，並針對如網路AI資料湖、資料擷取、資料準備與檢查、檔案與物件型存儲、公有雲大容量與內容傳輸等NVMe工作負載最佳化。 美光6550 IOS SSD提供E2.S、 U.2、E1.L等三種規格，並為全球首款E3.S 60TB產品 ▲美光6550 ION SSD的E3.S封裝是全球首個達60TB容量的E3.S資料中心級SSD 美光6550
Chevelle.fu
5 個月前
美光推出6,400MT/s的Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體，延續低調無發光的摺紙造型鋁散熱器
美光Micron宣布推出Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體，將時脈提升至6,400MT/s，使玩家具備更流暢、快速的遊戲體驗。Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體先行推出16GB容量版本與16GBx2的32GB雙通道套裝，搭配以摺紙為靈感的無發光鋁散熱片，提供黑、白二色散熱片。 ▲提供黑與白兩種散熱片選項 ▲支援XMP與EXPO兩大記憶體超頻規範 Crucial DDR5 Pro超頻電競記憶體採用美光1ß製程16Gb DRAM顆粒，相較DDR4記憶體提供2倍的資料傳輸量與減少25%延遲，提供38-40-40-84設定，並支援Intel XMP與AMD EXPO
Chevelle.fu
5 個月前
美光 Crucial 品牌推出 6400 MT/s DDR5 Pro 超頻記憶體
Crucial 發表 DDR5 Pro 超頻電競記憶體，具 6400 MT/s 資料傳輸速率，支援 Intel XMP 與 AMD EXPO，提升遊戲及密集工作效能。 美光旗下消費品牌Crucial推出DDR5 Pro超頻電競記憶體，標榜以6400 MT/s資料傳輸速率規格提供更流暢、更快速的遊戲體驗。 此次推出的電競記憶體提供DDR4規格兩倍以上的資料傳輸率，同時在延遲表現降低25%，並且以美光旗下1ß製程節點技術打造。 而DDR5 Pro超頻電競記憶體同時支援Intel XMP與AMD EXPO最新標準，藉此滿足不同處理器運算平台應用需求，不僅滿足遊戲執行時的資料快速存取效率需
Mash Yang
5 個月前
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