產業消息 intel 製程 半導體 RibbonFET PowerVIA 減材釕 Intel晶圓代工宣布未來節點互聯微縮技術突破，新材料、先進封裝提升電晶體容量與晶片對晶片速度 Intel晶圓代工於2024年IEEE國際電子元件會議(IEDM)宣布多項突破性進展，其中透過使用新材料減材釕使電晶體容量得以提升25%，並透過先進封裝的異質整合方式使晶片對晶片的吞吐量提高100%，此外為了進一步推動GAA(環繞式閘極)微縮，Intel晶圓代工同步展示矽RibbonFET CMOS及微縮2D FET閘極氧化物模組成果。 Intel晶圓代工希冀藉展示這些技術進一步實現半導體產業於2030年在單晶片容納1兆電晶體的願景。Intel強調半導體需透過新材料提升如PowerVia晶片背部供電解決方案的效益，並緩解互聯密度與持續微縮的壓力，Intel晶圓代工已設立多項途徑解決銅電晶體與未 Chevelle.fu 4 個月前
