科技應用 3d nand Lam Cryo 3.0 科林研發推出 Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 加速 3D NAND 記憶體微縮發展 科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術 Lam Cryo 3.0，實現更高精度與輪廓控制，蝕刻速度更快，生產良率提升，並降低耗能與碳排放。 科林研發 (Lam Research)宣布推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術，藉此加速3D NAND記憶體在人工智慧時代的微縮應用發展，預計在10年內可協助記憶體業者實現1000層的3D NAND記憶體問世。 Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術，是科林研發旗下經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術，以及創新表面化學製程方式，藉此實現精度更高、輪廓可控性更高的蝕刻操作。 科林研發全球產品事業群資深副總裁Sesha Mash Yang 8 個月前
