產業消息 日本 台積電 2nm 晶圓廠 Intel 18A 背面供電技術 Rapdius 日本半導體聯軍Rapidus有望提前在2027年前量產2nm製程，短期目標實現50%良率 根據電子時報報導，由日本集團構成的半導體製造集團Rapdius位於北海道千歲市的晶圓廠開始投入營運，預期在2025年4月投入首批2nm測試晶圓、7月推出原型晶片，同時由於客戶需求也將加速技術開發，將原定的2030年前實現2nm量產提前至2025年至2028年之間，同時Rapdius也設立短期50%的良率目標、長期實現80%至90%良率。Rapdius的2nm技術是源自IBM，旨在於日本建立屬於日本的先進晶圓製造業務。 ▲Rapdius將加速2nm製程量產進展，自原訂的2030年前提前至2027年至2028年之間 根據據資深工程師背景、曾任職Renesas、Western Digital的Rap Chevelle.fu 17 天前
產業消息 Samsung AI 三星半導體 2nm GAA 背面供電技術 三星半導體將在2027年推2nm背面供電技術與1.4nm製程量產，另外公布AI整合平台 三星半導體現在鋒頭被台積電搶進，也成為Intel半導體業務的主要假想敵，但仍相當積極想爭取更多機會；三星半導體在美國舉行的晶圓代工論壇公布最新的半導體技術與稱為Samsung AI Solutions的整合AI平台，此外三星也強調2027年1.4nm製程量產也依照計畫順利進行，並強調過去一年在人工智慧相關業務增長80%，且除了先進製程以外還提供針對汽車、醫療、穿戴與物聯網的8吋晶圓延伸技術。 將於2025年與2027年推出SF4U製程與背面供電SF2Z製程 ▲SF4U透過光學微縮改進PPA，SF2Z則使用背面供電技術 三星宣布兩項新的製程計畫，分別是預計2025年量產的SF4U與預計2026年 Chevelle.fu 10 個月前
