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SK Hynix 公布 321 層 4D NAND 記憶體樣品，預計 2025 年量產
NAND 記憶體堆疊的層數將影響容量，也是 NAND 產業技術力的象徵； SK Hynix 在 2023 年的快閃記憶體高峰會( FMS )展示最新的技術進展，將 NAND 層數堆疊突破 300 層以上，實現 321 層 4D NAND ；不過 SK Hynix 的 321 層 4D NAND 仍為技術展示階段，預計在 2025 年上半年才會正式量產。 ▲ 321 層 4D NAND 提高容量密度，也使產能獲得提升 SK Hynix 的 321 層技術建立在現在的 238 層 NAND 開發的成果，同時相較 238 層 512Gb 顆粒， 321 層 1Tb TLC NAND 受惠堆疊層數增加
Chevelle.fu
1 年前

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