產業消息 hbm SK hynix HBM3 HBM3e SK Hynix 宣布傳輸性能達 1.15TB/s 的 HBM3E 頂級 DRAM ，借助液冷填充物強化散熱性能 HBM 記憶體是目前 HPC 與頂級 AI 系統不可或缺的記憶體技術，雖然成本高然而可提供比常規 DDR 與 GDDR 更快的傳輸性能；韓國 SK Hynix 宣布推出新一代的 HBM3E ，將傳輸性能提升到 1.15TB/s ，其關鍵在於採用液態冷卻填充物解決高溫影響效能的問題； SK Hynix 預計在 2024 年上半年量產，同時 HBM3e 也將與現行 HBM3 具有 Pin-to-Pin 的特性，能在既有的設計以 HBM3e 取代 HBM3 。在合作夥伴證言中，確認 NVIDIA 將成為 SK-Hynix 的 HBM3E 客戶之一。 目前 SK-Hynix 並未公布 HBM3E 的堆 Chevelle.fu 1 年前
產業消息 AMD intel micron nvidia hpc AI 美光 HBM3 生成式AI 美光公布 1β 製程 HBM3 Gen 2 記憶體，首批採 8 層堆疊 24GB 容量、具備 1.2TB/s 以上頻寬且更為節能 當前 HBM 記憶體成為 HPC 與 AI 頂級硬體的熱門記憶體規格，美光 Micron 宣布推出新一代的 HBM3 Gen 2 記憶體，初步推出 8 層堆疊的 24GB HBM3 Gen 2 記憶體，預計 2024 年再公布 12 層堆疊的 36GB HBM3 Gen 2 ；美光 HBM3 Gen 2 每腳位傳輸速率超過 9.2GB/s 、較目前市面上 HBM3 方案高出 50% 以上，並達到 1.2TB/s 以上頻寬，同時每瓦效能提升 2.5 倍。 美光 HBM3 Gen 2 將提升 AI 數據中心的關鍵性能、容量與功耗指標，並有助縮減如 GPT-4 等大型語言模型( LLM )與未來更高 Chevelle.fu 1 年前
科技應用 hbm2 固態技術協會 HBM3 JEDEC 固態技術協會公布 HBM3 高頻寬記憶體規格標準 更高資料傳輸表現並對應更低耗電與更高容量密度 HBM3的獨立通道數量從HBM2時的8組增加至16組，並且能透過虛擬化方式，藉由偽通道 (Pseudo Channels)讓最高通道數量可達32組，藉此對應更高資料傳輸效率。此外，每層記憶體可對應8-32Gb容量密度，最高可對應64GB記憶體容量，而初期預期會以16Gb容量密度設計產品。 JEDEC固態技術協會稍早公布新一代高頻寬記憶體HBM3標準規格「JESD238」，相比現有HBM2、HBM2e提供更高資料傳輸頻寬。 在「JESD238」設計規範中，說明HBM3將對應每秒6.4gbps的資料傳輸速度，以及高達每秒可傳遞819GB的傳輸頻寬，另外也對應16-high TSV堆疊設計，可對應4 Mash Yang 3 年前
產業消息 hpc AI SK hynix 超算 HBM3 高頻寬記憶體 SK Hynix 宣布完成 HBM3 高頻寬記憶體開發，傳輸性能達 819GB/s 、單顆粒最高 24GB 韓國 SK Hynix 宣布完成新一代高頻寬記憶體 HBM3 的開發，將作為 HBM2E 之後的下一代產品，相較 HBM2E 進一步提升容量與傳輸性能，傳輸性能最高可達 819GB/s 。 HBM3 同樣鎖定非消費市場的專業應用而來，包括高性能的資料中心、 AI 機器學習以及 HPC 等。 ▲ HBM3 傳輸性能較 HBM2E 提升 78% ，單顆粒容量亦自 16GB 提升到最大 24GB HBM3 將儲存容量進一步提升到單一顆粒最大 24GB ，是透過 TSV 穿孔技術將 12 個晶片堆疊而來，晶片厚度約略與 A4 紙厚度相近、為 30μm ，其傳輸性能比起 HBM2E 提升 78%， Chevelle.fu 3 年前
