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CES 2025：群聯公布6nm製程、存取達14.5GB/s的PS5028-E28高性能PCIe Gen 5 SSD主控
NAND控制大廠群聯PHISON於CES 2025公布全新高性能PCIe Gen 5主控晶片PS5028-E28，PS5028-E28採用台積電6nm製程，具備最高14.5GB/s的峰值循序讀寫性能，能進一步將PCIe Gen 5 SSD性能帶到更高的水準；此外於2024年中旬公布的DRAM-Less主流級PCIe Gen 5主控晶片PS5031-E31T亦與美光最新G9 NAND、KIOXIA BiCS8 NAND完成驗證並開始量產，可進一步為市場提供更平價的PCIe Gne 5 SSD產品。 ▲PS5028-E28採台積電6nm製程 PS5028-E28是群聯新一代高階PCIe Gen 5
Chevelle.fu
3 個月前
Solidigm推出達122TB容量的D5-P5336資料中心級PCIe SSD，採QLC顆粒提供5年無限隨機寫入保固
Solidigm公布Solidigm D5-P5336資料中心SSD，相較前一代61.44TB產品的容量直接翻倍達到122.88TB，等同將1990年代電影4K電影畫質總容量加總的2.6倍，同時還率先提供5年無限隨機寫入次數的保固，強調對其可靠性深具信心。 ▲DP-P5336雖為QLC技術，但提供5年無限隨機寫入的保固 Solidigm D5-P5336採用QLC顆粒，強調Solidigm自2018年出貨QLC顆粒已超過100EB容量，亦為QLC技術領先者，提供高效能與高度可靠性，此外D5-P336的每TB耗電量也遠低於其它競品，能將資料中心的能源更有效益的使用。 Solidigm D5-P5
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5 個月前
美光推出7,100MB/s讀取性能的M.2 2230消費級SSD Crucial P310，為掌機、筆電提升性能與載入速度
雖然M.2 2230規格SSD相對M.2 2280在消費裝置的普及率沒有那麼高，不過除了微軟Surface與Dell筆電以外，多款PC遊戲掌機也考量空間占用使用M.2 2230規格；美光宣布目前業界最高性能的消費級M.2 2230 SSD Crucial P310，Crucial P310可達7,100MB/s與6,000MB/s讀取與寫入性能，能提供裝置更快的存取性能與內容加載速度。 ▲Crucial P310雖是M.2 2230形式，但性能直逼PCIe Gen4理論飽和數據 Crucial P310不僅具備逼近PCIe Gen 4飽和性能的7,100MB/s與6,000MB/s循序讀取與寫
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9 個月前
照片中提到了Meet PASCARI、The Fresh Face in、Enterprise Storage，跟菲生、菲生有關，包含了固態硬盤、PCI Express、數據中心
群聯推企業級SSD品牌PASCARI，同時公布PASCARI X200 PCIe Gen 5旗艦產品
NAND控制晶片與儲存解決方案大廠群聯PHISION宣布進軍企業級SSD市場推出PASCARI品牌，同步推出針對高階企業級SSD儲存市場需求的雙PCIe Gen 5埠的X200 SSD，強調可因應生成式AI快速成長與企業對高效能儲存需求。 ▲PASCARI劃分5大產品線，鎖定頂級性能、AI訓練DRAM擴充、資料中心、SATA與成本效益五大領域 PASCARI品牌產品將鎖定企業級與資料中心SSD產品，提供5大產品線，包括具備U.2與ES.S PCIe雙埠、容量達30.72TB的旗艦級X系列，具備基於NAND Flash作為DRAM的AI訓練方案aiDAPTIV+技術的AI系列，提供M.2 228
Chevelle.fu
11 個月前
照片中提到了120050、18.A、PHISON，跟菲生有關，包含了電腦遊戲、海報、個人電腦、屏幕截圖、文本
群聯聯手研華結合aiDAPTIV+技術打造邊際運算與工控的生成式AI平台
群聯PHISON甫於NVIDIA GTC 2024活動與多家夥伴合作建立aiDAPTIV+技術合作夥伴，透過群聯擅長的儲存技術，使高性能SSD能化為加速器的可用DRAM，進一步擴展能容納的推論模型大小；群聯再進一步宣布與全球工業電腦大廠研華科技Advantech合作，藉由aiDAPTIV+技術，結合研華AI邊際運算解決方案，提供客戶安全、可靠、更容易負擔的生成式AI邊際運算系統與工控電腦，使生成式AI更容易於工業4.0、工業5.0落地。 ▲aiDAPTIV+是透過高速SSD與軟體結合，將其作為擴展加速器DRAM容量的手段 aiDAPTIV+透過群聯的儲存專業技術，使SSD在結合軟體下能夠成為加
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1 年前
照片中提到了3FT、doo、二零二四,大殺四方!，跟菲生、馬來西亞玻璃市大學有關，包含了平面設計、平面設計、商標、字形、牌
群聯推出四款UFS儲存方案，涵蓋UFS 2.2規格入門5G手機至UFS 4.0規格旗艦款手機需求
群聯PHISON宣布一口氣推出四款全新UFS晶片，涵蓋UFS 2.2規格至最新一代的UFS 4.0規格將因應自入門級手機至旗艦手機需求，包括UFS 2.2的PS8327、UFS 3.1的PS8325、PS8329與UFS 4.0的PS8361，尤其對於入門5G手機儲存也自eMMC轉換至UFS 2.2，PS8327可提供滿足市場需求的高性價比解決方案。 群聯此次主打的是因應入門5G手機儲存規格轉換的PS8327，其支援全雙工模式的UFS 2.2規格相較半雙工的eMMC能提升3倍讀取速度，有助搭配更高規的錄影功能，同時也能進一步減少能耗；PS8327採用22nm製程，並具備小巧體積與群聯第六代LD
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1 年前
照片中提到了PHISON CES、Taking You To The Fast Lane、Phison continues to push the boundaries of，跟菲生、菲生有關，包含了2016年ces創新獎、平面設計、在線廣告、消費電子展、設計
CES 2024：PHISON於CES展示可降低PCIe Gen 5 SSD成本的DRAM-Less E31T主控，最高效能仍具14GB/s
儲存控制晶片大廠Phison群聯在CES展示多項高速控制晶片，其中包括全球首款DRAM-Less的消費級PCIe Gen 5 SSD主控PS5031-E31T，藉由DRAM-Less能降低成本，但搭配下一代高速NAND，有望實現14GB/s的性能；另外群聯還在CES展示主流PCIe Gen 5 SSD主控PS2026-E26、針對M.2 2230與低功耗或低發熱環境設計的PS5027-E27T PCIe Gen 4主控，還有單晶片原生USB 4.0控制晶片PS2251-21(U21)等。 ▲E31T待下一代4,800MT/s DRAM推出後有望實現14GB/s傳輸性能 PS5031-E31T是
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1 年前
COMPUTEX 2023 ：群聯公布 PCIe Gen 5 SSD 新方案 PS5031-E31T 與 PCIe Gen 4 SSD 方案 PS5027-E27T ，皆基於 DRAM-Less
群聯 PHISON 在 COMPUTEX 公布多項高速傳輸與儲存解決方案，其中引人注目的是兩款全新的 DRAM-Less SSD 控制器方案，包括 PCIe Gen 5 的 PS5031-E31T 與 PCIe Gen 4 SSD 方案 PS5027-E27T ；雖然兩款產品採用 DRAM-Less 但仍可達到不遜於具備 DRAM 方案的存取表現，其中 PS5031-E31T 讀與寫皆可突破 10,000MB/s ，而 PS5027-E27T 亦有趨近 7,000MB/s 的寫入性能。藉由高效能的 DRAM-Less 儲存控制方案，有助使新一代高速儲存技術更為普及。 皆為支援最大 8TB 的
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1 年前
Kingston FURY Renegade SSD 推出專用散熱片版本，性能與尺寸符合 PS5 擴充規範
金士頓 Kingston 宣布為針對電競的 Kingston FURY Renegade SSD 追加專用散熱片版本，不僅滿足玩家對於高階 SSD 持續運作穩定所需，同時性能與尺寸規格也符合 Sony PlayStation 5 的儲存擴充規範，對於 PS5 使用者能夠隨裝即用擴充儲存空間。 ▲ Kingston 強調專用散熱片版本經過裝載 PS5 實測，確保能保有出色的散熱能力 Kingston FURY Renegade SSD 專用散熱片版本將提供 500GB 、 1TB 、 2TB 與 4TB 版本，提供五年有限保固 ▲相較常規版本使用金屬散熱貼，專用散熱片版本具備更出色的元件解熱能力
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2 年前
照片中提到了AMD、RYZEN、H，跟Advanced Micro Devices公司、美光科技有關，包含了美女、公共關係、上市
Computex 2022 ：群聯、 AMD 與美光宣布攜手建構 PCIe Gen 5 儲存產業鏈，將以 E26 PCIe Gen 5 SSD 控制器率先為新一代儲存方案打造基礎
在 AMD 宣布全面為 Ryzen 7000 與 AM5 插槽的 600 系列晶片組提供 PCIe Gen 5 技術後，群聯 Phison 、 AMD 與美光 Micron 也共同宣布將攜手打造完整的 PCIe Gen 5 SSD 產業鏈，將藉助群聯新一代旗艦控制器 E26 與美光在記憶體的 DDR5 與 Replaement-Gate 3D NAND 宣示 PCIe Gen 5 儲存時代的到來。 ▲三大廠商以 5 大關鍵技術打造 PCIe Gen 5 儲存生態 群聯與 AMD 的合作關係也是 AMD Ryzen 3000 系列得到突破性成功的關鍵之一，當時由群聯所打造的 E16 晶片為當時全
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2 年前

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