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三星 3nm 製程卡關 台積電已將前進 2nm 製程
三星 3nm 製程技術良率未見起色，耗電與發熱問題影響 Exynos 2500 處理器稱產，可能讓 Galaxy S25 採用 Qualcomm 處理器。 Business Korea網站報導指稱，由於三星的3nm製程技術良率依然未見起色，相比台積電的3nm製程仍有耗電及發熱問題，因此可能會讓三星傳聞將推出的Exynos 2500處理器陷入難產，導致2025年預計推出的Galaxy S25系列或許仍維持在多數市場採用Qualcomm處理器設計。 從消息人士說法表示，由於三星在3nm製程耗電與發熱問題仍無法順利改善，因此過去一直與三星合作生產的Google自製處理器也傳出將改由台積電代工消息。
Mash Yang
10 個月前
照片中提到了Al Solutions 1. Al Platform、Samsung Al Solutions、SAMSUNG，包含了三星電子、三星電子、三星、半導體製造廠、半導體
三星公布 2nm 製程技術 預計 2027 年量產 1.4nm
三星在 SFF 2024 公布其 SF2Z 2nm 及 SF4U 4nm 製程技術，並透露 1.4nm 製程技術將於 2027 年量產，滿足高效能運算與 AI 需求。 在稍早於美國加州聖荷西舉辦的三星晶圓代工論壇 (SFF,Samsung Foundry Forum)中，三星公布其以SF2Z為稱的2nm製程技術，以及以SF4U為稱的4nm製程技術，更透露對於接下來的1.4nm製程技術準備進展順利，預計在2027年進入量產。 依照三星說明，預計在2025年進入量產的SF2製程技術則會用於行動處理器晶圓生產，並且在2026年衍生為SF2P製程技術，2026年則將發展用於高效能運算及人工智慧的SF2
Mash Yang
10 個月前
三星半導體將在2027年推2nm背面供電技術與1.4nm製程量產，另外公布AI整合平台
三星半導體現在鋒頭被台積電搶進，也成為Intel半導體業務的主要假想敵，但仍相當積極想爭取更多機會；三星半導體在美國舉行的晶圓代工論壇公布最新的半導體技術與稱為Samsung AI Solutions的整合AI平台，此外三星也強調2027年1.4nm製程量產也依照計畫順利進行，並強調過去一年在人工智慧相關業務增長80%，且除了先進製程以外還提供針對汽車、醫療、穿戴與物聯網的8吋晶圓延伸技術。 將於2025年與2027年推出SF4U製程與背面供電SF2Z製程 ▲SF4U透過光學微縮改進PPA，SF2Z則使用背面供電技術 三星宣布兩項新的製程計畫，分別是預計2025年量產的SF4U與預計2026年
Chevelle.fu
10 個月前
照片中提到了tsmo，跟台積電有關，包含了電子標牌、半導體製造廠、半導體產業
台積電亞利桑那廠獲美國商務部最高66億美金晶片法案補助，並提議提供台積電最高50億美金貸款
根據台積電TSMC官方新聞稿，TSMC Arizona與美國商務部簽署一份不具約束力的初步備忘錄，將依據美國晶片與科學法(俗稱晶片法案)，TSMC Arizona可獲得最高66億美金的直接補助，另外根據初步備忘錄提議向台積電提供最高50億美金貸款，台積電則計畫向美國財政部就TSMC Arizona資本支出符合條件部分申請最高25%投資稅收抵免。 在官方新聞稿的合作夥伴引信，包括AMD、Apple與NVIDIA都名列其中。 台積電在繼第一座晶圓廠於完工取得進展、第二座晶圓廠持續建設的同時，宣布將在亞利桑那州鳳凰城設立第三座晶圓廠的計畫，將投入在美國最先進的半導體製程，使台積電在亞利桑那州的總資本
Chevelle.fu
1 年前
照片中跟Square，Inc.有關，包含了電子產品、圖像傳感器、汽車、ISOCELL、多媒體
三星、台積電全球擴產半導體 但頂尖技術仍鎖定本土
三星與台積電持續全球擴張產能，但最先進的製程技術維持在各自總部，鞏固領先地位。 根據《南華早報》、《韓國時報》等消息指出，三星計畫從2025年開始投入2nm製成量產，並且計畫在2047年以前陸續投入500兆韓元 (約新台幣11兆6460億元)，將在首爾鄰近位置建設多個半導體工廠，其中包含13個晶片產線與3處研究據點，並且以此生產2nm製程產品。 而台灣方面，台積電準備在新竹及高雄建設2nm製程產線與技術研究中心，同時也計畫在台中擴建另一座工廠，但目前已經通過台灣內政部都市計畫變更，最快能在今年6月底前交地，並且由台積電投資擴廠，預計投入2nm及更小製程技術發展，將可創造4500個就業機會、推動
Mash Yang
1 年前
照片中提到了M、m、URGE，包含了芯片 2 納米、2納米製程、集成電路、IBM公司、晶體管
日本半導體生產聯盟 Rapidus 與 IBM 合作導入 2nm 製程技術 預計 2030 年前投產
除了此次資助Rapidus，日本政府日前也宣布資助Sony與台積電於熊本設置的先進製程半導體，預計在2024年投入生產，並且將以22nm及28nm製程提供代工生產服務，主要會聚焦市場目前多數電器、車載，或是工業用控制晶片等生產需求。 今年8月由Toyota、Sony、Softbank、NEC、NTT、Denso、鎧俠 (Kioxia)、三菱日聯銀行在內業者合資成立的半導體生產聯盟Rapidus，稍早確認將攜手IBM，預計在2025至2030年間以IBM的2nm製程為基礎生產半導體產品。 除了宣布與IBM攜手合作，日本政府也宣布以700億日圓資金投資Rapidus，希望藉此推動日本境內半導體產業
Mash Yang
2 年前
照片中包含了2納米芯片、集成電路、2納米製程、IBM公司、7納米
IBM 將成日本半導體聯合軍 Rapidus 的 2nm 製程合作夥伴，希冀 2030 年前實現 2nm 量產
現在由於地緣政治因素，加上疫情期間全球主要半導體代工廠產能吃緊，現在美國、歐洲、日本除了積極爭取台積電、三星設廠以外，也設法扶持自身的半導體生產產業，其中尤包括豐田、 Sony 、軟體銀行、 NEC 、 NTT 、電裝( DENSO )、鎧俠( Kioxia )、三菱 UFJ 共八家日本企業合資， IBM 則宣布將成為 Rapodus 在 2nm 製程的合作夥伴，目標是實現 2030 年前能實現 2nm 製程量產。 IBM 雖為無晶圓廠營運模式，不過其研究中心則不斷開發先進製程並尋求合作與技術轉移，此次的 2nm 製程是 IBM 在 2021 年所公布的技術；雙方希望藉合作在日本當地量產 2n
Chevelle.fu
2 年前
照片中提到了tsme，跟台積電有關，包含了台積電、5 nm製程、7納米、3 nm製程
台積電 2nm 製程 2025 年投入量產 同功耗下提高 10-15% 執行效能 3nm 製程下半年量產
台積電2nm製程技術採用奈米片電晶體 (Nanosheet)設計，藉此取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管 (FinFET)設計，同時也能結合Chiplet小晶片設計方案，分別可對應行動裝置運算，以及高效能運算處理器設計需求。 在美國加州聖塔克拉拉恢復實體形式舉辦的北美技術論壇中，台積電宣布將於2025年開始投入2nm製程量產。 相比3nm製程，台積電表示2nm製程可在相同功耗下提高10-15%執行效能，而在相同效能下則可降低25-30%功耗。 在設計上，2nm製程技術採用奈米片電晶體 (Nanosheet)設計，藉此取代過往使用多年的鰭式場效應晶體管 (FinFET)設計，同時也能結合Chip
Mash Yang
2 年前
照片中提到了Adding one more dimension，包含了天空、公共關係、人的、在線廣告、人類行為
三星 3nm 製程技術延後至 2022 年量產 2025 年進入 2nm 製程
三星的3nm製程技術將採用旗下GAA (全環繞柵極電晶體)技術，搭配MBCFET (多橋通道場效電晶體,Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)技術，對比先前採用的5nm UV製程技術約可降低35%晶片佔用面積，並且提高30%運算效能，電力損耗則可減少50%。 三星表示，旗下3nm製程技術將延後至2022年投入量產，而2nm製程技術則預計在2025年推出。 在原本計畫中，三星計畫在今年內開始啟用3nm製程技術量產，但因為轉換進度受到影響，因此決定將投入量產時間延後至明年初，並且在2022年下半年推出第二代設計。而台積電方面，則是在今年8月也宣布
Mash Yang
3 年前
照片中跟台積電有關，包含了台積電、5 nm製程、半導體產業、半導體器件製造
台積電表示赴美設廠有利成長、與客戶溝通 吸引人才 明年上半年試產 3nm 製程 加速推進 2nm 製程
劉德音強調目前已經完成3nm製程技術設計，預計會在2021年上半年試產，並且加速2nm製程技術推進。此外，接下來也會推出以5nm製程為基礎強化的4nm製程技術，預計最快在2023年投入量產。 聽內容： 在中美貿易戰保持競爭優勢 在今日 (6/9)召開股東會中，台積電董事長劉德音表示在美國亞利桑那州設廠，實際上對台積電日後發展有利，同時也說明在此波中美貿易戰仍具有競爭優勢，預期今年資本支出不會改變，而下半年與全年展望目標也不會改變，並且持續往2nm、3nm製程推進，但5nm製程使用率可能會因為華為受美國出口技術限制影響，進而出現使用空窗期，但認為很快就會填補。 另外，劉德音也強調目前已經完成3n
Mash Yang
4 年前
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