產業消息 三星 micron 美光 記憶體 LPDDR5X 12nm 韓媒指稱三星Galaxy S25系列初期使用美光LPDDR5X節能型記憶體 根據韓國媒體報導，三星Galaxy S手機似乎內部韓國產業的資源比重正在逐步下降，包括應用處理器、主機板、鏡頭等陸續使用非韓國供應鏈的產品，現在傳出Galaxy S25初期的記憶體也將改採用美光的節能型LPDDR5X，因為三星同級產品初期遇到發熱問題，後續生產的批次才會逐步使用三星半導體的節能型LPDDR5X。 ▲據稱三星12nm製程的LPDDR5X初期遇到發熱問題導致趕不上首波Galaxy S25上市，故首批Galaxy S25將採用美光的同級LPDDR5X 韓國etnews指稱，雖然三星半導體的記憶體仍在全球相當強勢，不過由於三星想要進一步為Galaxy S25降低能耗，故決定採用製程改良 Chevelle.fu 3 個月前
產業消息 intel 晶圓代工 亞利桑那州 聯電 12nm 聯電與Intel宣布於晶圓代工合作，於Intel亞利桑那州廠房提供新12nm成熟製程 聯華電子與Intel雙方共同宣布合作開發12nm製程平台，因應行動通訊基礎設施與網路等市場需求，雙方將活用Intel亞利桑那州Ocotillo Technology Fabriction的12、22與32廠進行開發與製造，透過既有設備降低前期投資並最佳化利用率。雙方預計於2027年投入此此次合作的12nm製程。 ▲Intel藉由與聯電合作加速實現2030年成為全球第二大晶圓代工廠的目標 Intel表示與聯電的合作將有助為全球半導體供應鏈提供技術與製造創新承諾，並作為Intel於2030年成為全球第二大晶圓代工廠的重要進展；聯電則透過與Intel合作實現在美國的12nm FinFET製造，並可協 Chevelle.fu 1 年前
產業消息 三星 AMD 記憶體 amd zen DDR5 12nm 三星宣布 2023 量產 12nm 製程 DDR5 記憶體，並完成與 AMD Zen 架構處理器相容認證 三星電子宣布完成業界首個基於 12nm 製程的 DDR5 記憶體顆粒開發，並預計於 2023 年進行量產，將鎖定包括運算、資料中心與人工智慧等應用領域。三星此新型 DDR5 記憶體採用 12nm 製程，單顆粒為 16Gb DDR5 容量同時也完成與 AMD 的記憶體顆粒的相容性認證。 ▲三星 12nm 製程 DDR5 記憶體將可達 7.2Gbps 傳輸性能 三星 12nm DDR5 的關鍵技術是能增加電容的新型 High-K 材質與改善關鍵電路特性，結合 EUV 技術，使這項技術生產的顆粒能有業界最高的密度，同時能將晶圓生產良率提升 20% ；此外依據最新的 DDR5 規範，三星 12nm D Chevelle.fu 2 年前
