產業消息 intel 晶圓代工 半導體製程 封裝技術 Foveros 3D封裝 Intel 7 Intel 5 Intel 4 Intel 3 Intel 20A Intel 再宣布製程創新策略與新命名， 2024 年邁入埃米世代首發 20A 製程獲高通採用 Intel 在今日以 Intel accelerated 再度公布 IDM 2.0 的重大政策，呼應當前新一代製程技術的革新，以新命名方式取代傳統以閘極長度命名的方式，預計在 4 年時間預計推出 5 項新製程，而 Intel 3 製程將為 FinFET 末代產品， 2024 年的 20A 製程宣告半導體製程將進入全新埃米世代，並宣告高通將選擇 Intel 革命性的 20A 製程為其生產晶片；除了製程技術外， Intel 也將在 2023 年導入全新封裝技術 Foveros Omni 與 Foveros Direct ，實現更複雜的 3D 封裝，而亞馬遜 AWS 將成為第一個採用 IFS 封裝解 Chevelle.fu 3 年前
科技應用 三星 intel 台積電 封裝技術 X-Cube 人工智慧運算 三星公布自有 3D 立體堆疊封裝技術 X-Cube 放置更多電晶體數量 發揮更高運算效能 除了三星，目前包含台積電旗下CoWoS封裝技術，以及Intel提出的Foveros封裝技術，都是藉由3D堆疊概念讓處理器內部空間能放置更多電晶體數量，藉此發揮更高運算效能。 市場動態 處理器 預計用在高效能處理器、5G數據晶片與人工智慧運算元件 三星稍早宣布推出自有3D立體堆疊封裝技術，並且確定以X-Cube為稱，預期藉此縮減旗下處理器面積尺寸，將更有利於讓處理器可應用在更小裝置內。 X-Cube名稱源自「eXtended-Cube」之意，將原本以2D平面封裝形式改為3D堆疊，讓處理器能在有限面積內容納更多電晶體，同時也能讓處理器以更少電力即可驅動。三星先前已經透過X-Cube封裝技術將SRA Mash Yang 4 年前
產業消息 7nm 三星半導體 封裝技術 X-Cube 三星宣布 3D IC 封裝技術 X-Cube 完成 7nm 晶圓與 SRAM 封裝，將用於 5G 、 AI 、高效能運算與行動運算領域 拜高速通道技術持續突破，當前 IC 晶片的設計趨勢又有了變化，從過往的系統級單晶片 SoC 設計改以透過封裝方式集結更多功能的系統級封裝 SiP ，同時封裝方式亦從原本的 2D 往 3D 封裝發展，如 Intel 今年的 Lake Field 即是透過 3D 封裝方式把不同製程、不同機能的晶圓進行 3D 封裝的結果，而再 Hot Chips 前夕，三星電子也宣布其 3D 封裝技術 X-Cube ( eXtended-Cube )有了重大突破。 ▲三星的 X-Cube 封裝技術透過 TSV 技術使堆疊的晶圓進行更短路徑的傳輸溝通 三星此次的 X-Cube 3D 封裝是透過 TSV 技術把 SRA Chevelle.fu 4 年前
