產業消息 三星 CMOS 感光元件 14nm FinFET 為了降低高畫素元件發熱與耗電，三星提出使用 14nm FinFET 製程生產 144MP 感光元件的想法 一般來說，用於相機的感光元件不太會追求最新的製程，先進製程通常會率先用在高單價、高密度的 CPU 或是 GPU 等 SoC 與邏輯 IC 上，不過隨著相機畫素密度提升，以及以手機相機高畫素需求引發的市場需求，根據三星在 IEDM 2019 所發表的想法，三星打算透過針對影像感測器特性最佳化的 14nm FinFET 製程技術生產新一代的 144MP 相機元件。 對於當前主流的 CMOS 感光元件而言，相較一般數位 SoC 、邏輯晶片需要更高的電壓藉此提供良好的類比特性，而對比當前 CMOS 主流的 28nm 製程，三星的特別版 14nm FinFET 製程能夠兼具良好的類比特色與低耗電的數位特 Chevelle.fu 5 年前
