CES 2025:群聯公布6nm製程、存取達14.5GB/s的PS5028-E28高性能PCIe Gen 5 SSD主控

2025.01.08 11:17AM

NAND控制大廠群聯PHISON於CES 2025公布全新高性能PCIe Gen 5主控晶片PS5028-E28,PS5028-E28採用台積電6nm製程,具備最高14.5GB/s的峰值循序讀寫性能,能進一步將PCIe Gen 5 SSD性能帶到更高的水準;此外於2024年中旬公布的DRAM-Less主流級PCIe Gen 5主控晶片PS5031-E31T亦與美光最新G9 NAND、KIOXIA BiCS8 NAND完成驗證並開始量產,可進一步為市場提供更平價的PCIe Gne 5 SSD產品。

▲PS5028-E28採台積電6nm製程

PS5028-E28是群聯新一代高階PCIe Gen 5 SSD,採用台積電6nm製程,於存取皆可達循序14.5GB/s的傳輸理論值,並具備3,000K IOPS隨機存取性能,平均能耗為8.5W。

此外美光在CES所公布的Crucial P510即是採用群聯DRAM-Less架構PS5031-E31T主控的產品,即便為DRAM-Less設計,仍可達到遠超PCIe Gen 4的11,000MB/s讀取與9,500MB/s寫入性能,同時價格也更為平易近人。