美光的HBM3E順利打入NVIDIA AI加速器的供應鏈，其中HBM3E成為NVIDIA H200搭配的記憶體；根據美光財報會議紀錄，美光將在2026年量產HBM4，作為屆時如NVIDIA的「Rubin」NVIDIA R100等先進加速器搭配，此外美光也投入HBM4E的開發，倘若時程能夠配合，應該會成為NVIDIA小改版世代的R200所搭配的記憶體。
▲NVIDIA的Rubin R100加速器預期會採用美光HBM4記憶體
目前AI加速器的GPU由SK Hynix取領先，三星與美光仍設法從中突圍，其中美光鎖定高性能與客製化服務作為與其它競爭者的差異化；美光預期在2026年推出HBM4記憶體，將較HBM3E提升達50%性能，並保有出色的能源效率，此外也將採用台積電先進製程，並為特定客戶提供克制邏輯晶片的服務。
