不讓美光8層堆疊的HBM3e專美於前，三星宣布業界首款12層堆疊的HBM3e 12H DRAM，將容量推進至36GB，對於高效能運算、AI加速器等產品相較HBM3 8H可提升達50%的記憶體容量，同時傳輸頻寬一舉提升至1,280GB/s，預期相較HBM3 8H於AI領域可提高34%訓練性能、推論的同時用戶數則可提高11.5倍。三星HBM3e 12H已經送樣，預計2024年上半年量產
▲三星HBM3e 12H將於2024年上半年量產
三星HBM3e 12H採用TC NCF(熱壓非導電薄膜)技術，使12層堆疊與8層堆疊的高度相同，滿足當前HBM封裝需求，TC NFC將為更多層堆疊帶來優勢，尤其可減輕更薄的晶片產生的晶片彎曲；三星致力於削減NCF厚度，藉此實現7μm的晶片間隙，相較HBM3 8H，HBM3e 12H提升20%垂直密度。同時TC NCF還透過晶片間各種尺寸的凸塊提高HBM熱性能，以較小凸塊用於訊號、較大的凸塊用於散熱，並使產品品質連帶提升。
