HBM 記憶體是目前 HPC 與頂級 AI 系統不可或缺的記憶體技術，雖然成本高然而可提供比常規 DDR 與 GDDR 更快的傳輸性能；韓國 SK Hynix 宣布推出新一代的 HBM3E ，將傳輸性能提升到 1.15TB/s ，其關鍵在於採用液態冷卻填充物解決高溫影響效能的問題； SK Hynix 預計在 2024 年上半年量產，同時 HBM3e 也將與現行 HBM3 具有 Pin-to-Pin 的特性，能在既有的設計以 HBM3e 取代 HBM3 。在合作夥伴證言中，確認 NVIDIA 將成為 SK-Hynix 的 HBM3E 客戶之一。
目前 SK-Hynix 並未公布 HBM3E 的堆疊層數，不過強調使用 MR-MUF (全稱為 Advanced Mass Reflow Molded Underfill )的液態散熱填充物強化散熱，聲稱相對上一代產品的導熱介質提升 10% 散熱。 SK-Hynix 的 HBM3E 將鎖定仰賴高速記憶體傳輸的 AI 等新一代工作負載。
