NAND 記憶體堆疊的層數將影響容量，也是 NAND 產業技術力的象徵； SK Hynix 在 2023 年的快閃記憶體高峰會( FMS )展示最新的技術進展，將 NAND 層數堆疊突破 300 層以上，實現 321 層 4D NAND ；不過 SK Hynix 的 321 層 4D NAND 仍為技術展示階段，預計在 2025 年上半年才會正式量產。
▲ 321 層 4D NAND 提高容量密度，也使產能獲得提升
SK Hynix 的 321 層技術建立在現在的 238 層 NAND 開發的成果，同時相較 238 層 512Gb 顆粒， 321 層 1Tb TLC NAND 受惠堆疊層數增加使單一晶圓產能提升，產能提高 59% ； SK Hynix 也預計將 321 層 4D NAND 應用在下一代 PCIe Gen 6 與 UFS 5.0 儲存產品。
