韓國 SK Hynix 宣布完成新一代高頻寬記憶體 HBM3 的開發，將作為 HBM2E 之後的下一代產品，相較 HBM2E 進一步提升容量與傳輸性能，傳輸性能最高可達 819GB/s 。 HBM3 同樣鎖定非消費市場的專業應用而來，包括高性能的資料中心、 AI 機器學習以及 HPC 等。
▲ HBM3 傳輸性能較 HBM2E 提升 78% ，單顆粒容量亦自 16GB 提升到最大 24GB
HBM3 將儲存容量進一步提升到單一顆粒最大 24GB ，是透過 TSV 穿孔技術將 12 個晶片堆疊而來，晶片厚度約略與 A4 紙厚度相近、為 30μm ，其傳輸性能比起 HBM2E 提升 78%，根據 SK Hynix 的敘述，足以能在 1 秒內傳輸 163 部 5GB FuLLHD 短片。
