在被 Western Digital 收購前, SanDisk 原本就是與現名鎧俠 / Kioxia 的東芝半導體共同開發快閃記憶體,雙方的合作已長達 20 年之久,而 Western Digital 今日宣布與鎧俠共同開發第六代 3D 堆疊快閃記憶體 BiSC6 ,自上一代 112 層提升到 162 層,進一步提升儲存密度與性能。
▲ BiSC6 相較現行 BiSC5 進一步縮減晶粒尺寸,同時 I/O 效能提升達 66%
BiSC6 相較 BiSC5 橫向儲存單元陣列密度提升 10% ,結合 162 層堆疊技術後,相較前世代 112 層堆疊的晶粒尺寸縮減 40% ,也使得每晶圓晶粒數增加 70% ,反映在效能面,藉由 Circuit Under Array CMOS 和 4-plane 架構,程式效能提升達 2.4 倍,讀取延遲縮減 10% ,提高 66% I/O 效能。