韓國 SK hynix 宣布新一代的 4D NAND Flash ，除了將堆疊層數提升到 176 層以外 ，全新的 PUC ( Peri. Under Cell )技術藉由將原本的外圍電路( Peri. )堆疊到顆粒單元( Cell )下方，進一步減少單位面積，容量可達 512Gb 。
SK hynix 的 4D NAND Flash 預計在 2021 年用於行動產品，同時也規劃用於消費與企業級 SSD 產品。
▲ SK hynix 的 PUC 技術將外圍電路配置在顆粒單元下方
Sk hynix 的 4D NAND Flash 為 176 層 512Gb TLC 顆粒，較現行 96 層產品提升 20% 讀取速度，同時數據頻寬也提升 33% ，可達 1.6Gbps ，預計使用此技術構成的 SSD 儲存產品可較當前世代提升 70% 讀取性能與 35% 寫入性能。
除了目前宣布的 512Gb 顆粒外， SK Hynix 也將採用 176 層 4D NAND 技術開發 1Tb 顆粒。
