美國美光宣布將率先採用全新的 1z nm 製程生產單顆 16Gb 的 DDR4 記憶體，相較現行 1y nm 製程， 1z nm 製程能夠進一步提升性能並降低成本。此外，位於新加坡的 Fab 10 記憶體生產廠房也在上周完成擴建，預計在 2019 年開始進行量產，不過工廠擴建計畫與生產計劃是評估市場需求後的結果，美光在擴建後並無劇烈增加產能的規劃。
▲美光在新加坡強化記憶體產線
美光強調 1z nm 製程將達到業界最小尺寸，可作為生產常規型的 DDR4 、針對行動裝置的 LPDDR4 與圖形產品的 GDDR4 產品線等，當前 1z nm 的 16Gb DDR4 相對採用 1y nm 的 DDR4 能夠降低 40% 功耗。
美光計畫透過 1z nm 量產行動裝置用的 16Gb LPDDR4X 顆粒，並提供基於 UFS 規範的 uMCP4 封裝， uMCP4 封裝可在單一封裝堆疊 8 顆晶圓，實現 16GB RAM 的最大容量，較現行 LPDDR4 提升一倍。
同時採用 1z nm 的 LPDDR4X 不僅具備低功耗特色，還具備達 4,266Mbps 的傳輸性能，對於高 RAM 傳輸應用如 4K 影像撥放可較 1y nm 世代降低約 10% 功耗。
美光也預計提供基於 1z nm 晶片、混合 RAM 與儲存的解決方案，將自 3GB RAM 搭配 64GB 儲存到最大 8GB RAM 搭配 256GB 儲存等八種配置。
新聞來源： PC.Watch
