圖片來源： Sony
現在有越來越多的相機與手機相機可支援高速攝影，而 Sony 在美國的 ISSCC 半導體峰會活動中展示一項堆疊式 CMOS 元件技術，在背照式感光層與底下的電子線路中間添加 DRAM ，使數據可高速且更直接寫入 DRAM ，使其達到能進行 Full HD 1,000fps 的驚人拍攝速度，同時對靜態拍攝而言，可使拍攝高速移動動體時減少焦平面失真變形的優點。此感光元件技術搭配 ISP 後，仍可將高速拍攝所記錄的資訊以正常的速度輸出，且輸出 19.3MP 的靜態影像僅需 1/120 秒，相較既有產品提升 4 倍速度；此外依智慧手機的使用趨勢，可透過設定機制進行偵測追蹤目標的突然變化而啟動高速拍攝。
這張感光元件的解析度為 5,520 x 3,840 ，有效畫素為 21.2MP ，尺寸為 1.2.3 吋，這張感光元件是基於 Sony 的堆疊式 CMOS 技術進行延伸， Sony 表示雖此結構相當複雜但已經能兼具生產品質與可靠性。
