圖片為 14nm 製程之 Exynos 8890 SoC
三星半導體宣布他們已經成為業界首個開始投產 10nm FinFET 系統級晶片( SoC )的企業，強調全新的 DinFET 10nm 10LPE 採用先進的 3D 晶圓設計，同時也是基於前一代 14nm 技術的強化版，而 10nm 製程可使得晶片獲得 30% 面積效率提升，可得到 27% 效能的提升或是減少 40% 能耗；基於三星 10nm 製程的晶片有望於 2017 年初推出，而第二世代的 10LPP 製程也將於 2017 年下半年開始量產。
新聞來源：三星
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